W4NXE4C-0D00 ENERGIEVERWALTUNG IC DER DATENBLATT
Artikelnummer: W4NXE4C-0D00
Transistorgehäuse:
Hersteller: Cree
Pins:
Beschreibung: Diameter 76.2mm; standard micropipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition
Betriebstemperaturbereich: Min °C | Max °C