Artikelnummer: RJK03A4DPA-00-J53

Transistorgehäuse:

Hersteller: Renesas Technology Corp

Pins:

Beschreibung: Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

Betriebstemperaturbereich: Min °C | Max °C

RJK03A4DPA-00-J53