RFP10P12 ENERGIEVERWALTUNG IC DER DATENBLATT
Artikelnummer: RFP10P12
Transistorgehäuse:
Hersteller: GESS[GE
Pins:
Beschreibung: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS
Betriebstemperaturbereich: Min °C | Max °C
Artikelnummer: RFP10P12
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Hersteller: GESS[GE
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Beschreibung: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS
Betriebstemperaturbereich: Min °C | Max °C