PHB10N40E ENERGIEVERWALTUNG IC DER DATENBLATT
Artikelnummer: PHB10N40E
Transistorgehäuse: SOT
Hersteller: Philips
Pins:
Beschreibung: 400 V, power MOS transistor avalanche energy rated
Betriebstemperaturbereich: Min °C | Max °C
Artikelnummer: PHB10N40E
Transistorgehäuse: SOT
Hersteller: Philips
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Beschreibung: 400 V, power MOS transistor avalanche energy rated
Betriebstemperaturbereich: Min °C | Max °C