MG50H2YS1 ENERGIEVERWALTUNG IC DER DATENBLATT
Artikelnummer: MG50H2YS1
Transistorgehäuse:
Hersteller: Toshiba
Pins:
Beschreibung: High Power Switching Application Silicon N-Channel IGBT
Betriebstemperaturbereich: Min °C | Max °C
Artikelnummer: MG50H2YS1
Transistorgehäuse:
Hersteller: Toshiba
Pins:
Beschreibung: High Power Switching Application Silicon N-Channel IGBT
Betriebstemperaturbereich: Min °C | Max °C