LTE42012R ENERGIEVERWALTUNG IC DER DATENBLATT
Artikelnummer: LTE42012R
Transistorgehäuse:
Hersteller: Philips Semiconductors
Pins:
Beschreibung: MICROWAVE POWER TRANSISTOR
Betriebstemperaturbereich: Min °C | Max °C
Artikelnummer: LTE42012R
Transistorgehäuse:
Hersteller: Philips Semiconductors
Pins:
Beschreibung: MICROWAVE POWER TRANSISTOR
Betriebstemperaturbereich: Min °C | Max °C