K6F8016R6B-F ENERGIEVERWALTUNG IC DER DATENBLATT
Artikelnummer: K6F8016R6B-F
Transistorgehäuse:
Hersteller: Samsung semiconductor
Pins:
Beschreibung: 512K Super Power Voltage Full CMOS Static
Betriebstemperaturbereich: Min °C | Max °C
Artikelnummer: K6F8016R6B-F
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Hersteller: Samsung semiconductor
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Beschreibung: 512K Super Power Voltage Full CMOS Static
Betriebstemperaturbereich: Min °C | Max °C