H7N1002LD ENERGIEVERWALTUNG IC DER DATENBLATT
Artikelnummer: H7N1002LD
Transistorgehäuse:
Hersteller: Renesas Technology Corp
Pins:
Beschreibung: Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
Betriebstemperaturbereich: Min °C | Max °C
H7N1002LD