H7N1002AB ENERGIEVERWALTUNG IC DER DATENBLATT

Artikelnummer: H7N1002AB

Transistorgehäuse:

Hersteller: Renesas Technology Corp

Pins:

Beschreibung: Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Betriebstemperaturbereich: Min °C | Max °C

H7N1002AB