F2012 ENERGIEVERWALTUNG IC DER DATENBLATT
Artikelnummer: F2012
Transistorgehäuse:
Hersteller: POLYFET[Polyfet Devices]
Pins:
Beschreibung: PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE POWER VDMOS TRANSISTOR
Betriebstemperaturbereich: Min °C | Max °C