F1107 ENERGIEVERWALTUNG IC DER DATENBLATT

Artikelnummer: F1107

Transistorgehäuse:

Hersteller: POLYFET[Polyfet Devices]

Pins:

Beschreibung: PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE POWER VDMOS TRANSISTOR

Betriebstemperaturbereich: Min °C | Max °C

F1107 PDF